矽速GW1NR-9
Gowin / 高云 · FPGA
Gowin GW1NR-9
完整数据手册 已逐句核对 11 项参数必备参数 8 / 9原文能给的已齐（1 项核心参数原文没写）
关键规格
- 查找表
- 8,640
- DSP
- 20
- 块 RAM
- 468 Kb
- 用户 IO
- 276
- 开发板
- 1 款在用
全部规格 「待补」是这类芯片必备、还没核对到原文的项
处理器
| 制程 | 55 nm 嵌入式 Flash 工艺 |
|---|
存储
| 外部内存接口 | 合封 64 Mbit SDR SDRAM，或 64 Mbit PSRAM（QN88P / LQ144P / MG100PT / MG100PS 封装）/ 128 Mbit PSRAM（MG100P / MG100PF / MG100PA 封装） GW1NR-9 |
|---|
可编程逻辑
| 逻辑资源 | 8,640 LUT4、6,480 触发器 GW1NR-9 |
|---|---|
| 片上 RAM | 块 RAM 468 Kb（26 块）、影子 SRAM 16 Kb、用户 Flash 608 Kb GW1NR-9 |
| DSP | 20 个 18×18 乘法器 GW1NR-9 |
| 高速收发器 | 原文未写 |
| 用户 I/O | 最多 276 个 GPIO（不受封装限制时）QN88P 封装 71 个用户 I/O GW1NR-9 |
封装
| 封装 | 可选封装：LQ144P（20 × 20 mm）、MG100P / MG100PA / MG100PF / MG100PS / MG100PT（5 × 5 mm）、QN88 / QN88P（10 × 10 mm） GW1NR-9 |
|---|
电气
| 供电电压 | 核心电压 1.2 V（LV 版） GW1NR-9 |
|---|---|
| IO 电压 | LVCMOS33/25/18/15/12、LVTTL33、SSTL、HSTL、LVDS25 等 |
环境
| 工作温度 | 结温：商业级 0 ~ 85 ℃工业级 –40 ~ 100 ℃ |
|---|
身份与变体
| 厂商 | Gowin（高云半导体） |
|---|
资料来源
- 主原文 完整数据手册 GW1NR series of FPGA Products Data Sheet DS117-3.2.5E 2026-07-31 原始链接 ↗
用这颗芯片的开发板 1 款
矽速GW1NR-9