Gowin GW2AR-LV18

完整数据手册已逐句核对 7 项参数必备参数 4 / 9原文能给的已齐（1 项核心参数原文没写）

关键规格

制程	55 nm SRAM 工艺

封装	待补

供电电压	核心电压 1.0 V
IO 电压	LVCMOS33/25/18/15/12、LVTTL33、SSTL、HSTL、LVDS25 等软 MIPI D-PHY（每通道最高 1.2 Gbps）

工作温度	结温：商业级 0 ~ 85 ℃工业级 –40 ~ 100 ℃

安全特性	位流加密和安全位

厂商	Gowin（高云半导体）

逻辑资源20,736 LUT4、15,552 触发器
片上 RAM块 RAM 828 Kb（46 块）、影子 SRAM 40 Kb
外部内存接口合封 64 Mbit SDR SDRAM（QN88 等，32 位）、64 Mbit PSRAM（QN88P 等，16 位）或 128 Mbit DDR SDRAM（EQ176，16 位）
DSP48 个 18×18 乘法器
用户 I/O最多 384 个 GPIO（不受封装限制时）；QN88 / QN88P 封装 66 个用户 I/O
封装可选封装：EQ144 / EQ144P / EQ144PF（20 × 20 mm）、QN88 / QN88P / QN88PF（10 × 10 mm）、EQ176（20 × 20 mm）

SDRAM MicroSD DVP UART 22.55×54.04 mm